制造商编号

Infineon N沟道MOSFET, Vds=120 V, Id=237 A, 8针, HSOF-8, OptiMOS™系列

RS 库存编号:: 236-3670
制造商零件编号:: IPT030N12N3GATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道MOSFET, Vds=120 V, Id=237 A, 8针, HSOF-8, OptiMOS™系列

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100 - 248	RMB35.01	RMB70.02
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RS 库存编号:: 236-3670
制造商零件编号:: IPT030N12N3GATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	237A
	最大漏源电压 Vd	120V
	系列	OptiMOS™
	包装类型	HSOF-8
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	3mΩ
	最大功耗 Pd	375W
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	158nC
	最大栅源电压 Vgs	20V
	正向电压 Vf	1.2V
	最高工作温度	175°C
	宽度	10.58mm
	高度	2.4mm
	长度	10.1mm
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 237A
	最大漏源电压 Vd 120V
	系列 OptiMOS™
	包装类型 HSOF-8
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 3mΩ
	最大功耗 Pd 375W
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 158nC
	最大栅源电压 Vgs 20V
	正向电压 Vf 1.2V
	最高工作温度 175°C
	宽度 10.58mm
	高度 2.4mm
	长度 10.1mm
	标准/认证 No
	汽车标准否

Datasheet - IPT030N12N3GATMA1

Infineon OptiMOS 功率 MOSFET 特别适用于电池供电设备，可在额外的电压击穿边距和低通态电阻之间实现最佳平衡。它可用于轻型电动车，低电压驱动器和电池供电工具。

高功率密度和改进的热管理

所需的板空间更少

系统效率高，所需并联更少

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