Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=120 V, 237 A, HSOF-8, 表面安装, 8引脚, IPT030N12N3GATMA1, OptiMOS™系列
- RS 库存编号:
- 236-3670
- 制造商零件编号:
- IPT030N12N3GATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB38.375 | RMB76.75 |
| 10 - 98 | RMB37.415 | RMB74.83 |
| 100 - 248 | RMB36.48 | RMB72.96 |
| 250 - 498 | RMB35.57 | RMB71.14 |
| 500 + | RMB34.68 | RMB69.36 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 236-3670
- 制造商零件编号:
- IPT030N12N3GATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 237A | |
| 最大漏源电压 Vd | 120V | |
| 系列 | OptiMOS™ | |
| 包装类型 | HSOF-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3mΩ | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 158nC | |
| 最大功耗 Pd | 375W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 10.1mm | |
| 高度 | 2.4mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 10.58 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 237A | ||
最大漏源电压 Vd 120V | ||
系列 OptiMOS™ | ||
包装类型 HSOF-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 3mΩ | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 158nC | ||
最大功耗 Pd 375W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 10.1mm | ||
高度 2.4mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 10.58 mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon OptiMOS 功率 MOSFET 特别适用于电池供电设备，可在额外的电压击穿边距和低通态电阻之间实现最佳平衡。它可用于轻型电动车，低电压驱动器和电池供电工具。
高功率密度和改进的热管理
所需的板空间更少
系统效率高，所需并联更少