Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=700 V, 25 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, IPW65R090CFD7XKSA1, CoolMOS系列
- RS 库存编号:
- 236-3672
- 制造商零件编号:
- IPW65R090CFD7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 2 件）*
¥80.81
(不含税)
¥91.316
(含税)
有库存
- 172 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB40.405 | RMB80.81 |
| 10 - 98 | RMB39.395 | RMB78.79 |
| 100 - 248 | RMB38.42 | RMB76.84 |
| 250 - 498 | RMB37.475 | RMB74.95 |
| 500 + | RMB36.535 | RMB73.07 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 236-3672
- 制造商零件编号:
- IPW65R090CFD7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 25A | |
| 最大漏源电压 Vd | 700V | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 系列 | CoolMOS | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 900mΩ | |
| 最大功耗 Pd | 127W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 53nC | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 5.21 mm | |
| 高度 | 21.1mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 16.13mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 25A | ||
最大漏源电压 Vd 700V | ||
包装类型 TO-247 | ||
系列 CoolMOS | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 900mΩ | ||
最大功耗 Pd 127W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 53nC | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 5.21 mm | ||
高度 21.1mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 16.13mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon CoolMOS 超结 MOSFET 带集成快速主体二极管，是用于谐振高功率拓扑的理想选择。它特别适用于工业应用，如服务器，电信，太阳能和 EV 充电站， 与竞争对手相比，它可显著提高效率。漏极电流为 25 A
出色的硬换向坚固性
额外的安全余量，用于增加总线电压的设计
实现更高的功率密度
工业 SMPS 应用中的卓越的轻负载效率
提高了工业 SMPS 应用中的满载效率
与市场上的替代产品相比，价格竞争力