Infineon N型沟道 消耗型 MOSFET, Vds=600 V, 21 mA, SOT-23, 表面安装, 3引脚, BSS126IXTSA1, SIPMOS®系列
- RS 库存编号:
- 236-4398
- 制造商零件编号:
- BSS126IXTSA1
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 236-4398
- 制造商零件编号:
- BSS126IXTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 21mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 系列 | SIPMOS® | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 700Ω | |
| 通道模式 | 消耗 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 1.4nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 0.5W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 3mm | |
| 宽度 | 1.4 mm | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 21mA | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
包装类型 SOT-23 | ||
系列 SIPMOS® | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 700Ω | ||
通道模式 消耗 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 1.4nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 0.5W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 3mm | ||
宽度 1.4 mm | ||
高度 1.1mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 600V N 沟道小信号耗尽型 MOSFET 采用无铅镀层，RoHS 合规、满足 IEC61249-2-21 的无卤素要求。完全符合 JEDEC 工业应用标准。工业标准资质级别。
系统可靠性高
环保
PCB 空间与节省成本的
额定 dv/dt