制造商编号

Infineon N沟道耗尽型MOSFET, Vds=600 V, Id=21 mA, 3针, SOT-23, SIPMOS®系列

RS 库存编号:: 236-4398
制造商零件编号:: BSS126IXTSA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道耗尽型MOSFET, Vds=600 V, Id=21 mA, 3针, SOT-23, SIPMOS®系列

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RS 库存编号:: 236-4398
制造商零件编号:: BSS126IXTSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	21mA
	最大漏源电压 Vd	600V
	包装类型	SOT-23
	系列	SIPMOS®
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	700Ω
	通道模式	耗尽
	最大功耗 Pd	0.5W
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	1.4nC
	正向电压 Vf	1.2V
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最高工作温度	150°C
	宽度	1.4mm
	标准/认证	No
	高度	1.1mm
	长度	3mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 21mA
	最大漏源电压 Vd 600V
	包装类型 SOT-23
	系列 SIPMOS®
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 700Ω
	通道模式耗尽
	最大功耗 Pd 0.5W
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 1.4nC
	正向电压 Vf 1.2V
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最高工作温度 150°C
	宽度 1.4mm
	标准/认证 No
	高度 1.1mm
	长度 3mm
	汽车标准否

Datasheet - BSS126IXTSA1

英飞凌 600V N 沟道小信号耗尽型 MOSFET 采用无铅镀层，RoHS 合规、满足 IEC61249-2-21 的无卤素要求。完全符合 JEDEC 工业应用标准。工业标准资质级别。

系统可靠性高

环保

PCB 空间与节省成本的

额定 dv/dt

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