Infineon N沟道耗尽型MOSFET, Vds=600 V, Id=21 mA, 3针, SOT-23, SIPMOS®系列

查看所有MOSFET
可享批量折扣
查看批量定价选项

小计 20 件 (按连续条带形式提供)*

RMB28.74

(不含税)

RMB32.48

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
暂时缺货
  • 4,190 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位
每单位
20 - 90RMB1.437
100 - 240RMB1.411
250 - 490RMB1.383
500 +RMB1.357

* 参考价格

包装方式：
RS 库存编号:
236-4398P
制造商零件编号:
BSS126IXTSA1
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

21mA

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

SOT-23

系列

SIPMOS®

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

700Ω

通道模式

耗尽

正向电压 Vf

1.2V

最大栅源电压 Vgs

20V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

1.4nC

最大功耗 Pd

0.5W

最高工作温度

150°C

高度

1.1mm

宽度

1.4mm

标准/认证

No

长度

3mm

汽车标准

否

Infineon SIPMOS® 系列 MOSFET,600V 最大漏源电压,0.5W 最大功耗 - BSS126IXTSA1


这款 MOSFET 是一款小信号 N 通道耗尽模式晶体管,专为需要在紧凑尺寸中进行高压切换的表面安装电子产品而设计。它可在宽温度范围内工作,专为低电流应用而设计,在这些应用中,最好使用耗尽模式设备以提供常开操作和简化栅极控制。

特性和优点：


• 最大漏源电压 600 V,可实现高压切换
• 最大连续漏电流 21 mA,支持低功率电路
• 最大漏源电阻 700 Ω 限制接通状态传导
• 正向电压 1.2 V 可减少驱动路径的电压下降
• 典型栅极电荷为 1.4 nC,支持低栅极驱动能量
• 最大功耗 0.5 W,适用于低功率热预算

应用


• 适用于模拟设计中的高压偏置网络
• 特别适用于低电流保护电路和排气器电阻器
• 用于需要耗尽模式行为的小信号驱动器
• 可用于传感器前端的电流转向
• 适用于转换器中的紧凑型电源管理子电路

可安全应用的栅极电压范围是多少?


在正常操作中,可允许高达 20 V 的栅极对源电位。

该设备在使用过程中可承受的热量范围是多少?


它的额定工作温度范围为 -55°C 至 150°C,适用于各种环境。

用于 PCB 组装的组件是如何包装的?


它采用SOT-23表面贴装封装,适用于自动安装。

PCB 封装应允许哪些机械封装?


该封装长度约为 3mm,宽度约为 1.4mm,高度约为 1.1mm,适用于土地布局规划。

该设备是否符合汽车级分类要求?


它未指定为汽车标准组件,不应认为符合这些标准。

相关链接