P沟道增强型MOS管 VP0106系列, Vds=60 V, 250 mA, TO-92封装, 通孔安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 236-8962P
- 制造商零件编号:
- VP0106N3-G
- 制造商:
- Microchip
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 90 | RMB7.12 |
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| 250 - 490 | RMB6.866 |
| 500 + | RMB6.743 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 236-8962P
- 制造商零件编号:
- VP0106N3-G
- 制造商:
- Microchip
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Microchip | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 250 mA | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 封装类型 | TO-92 | |
| 系列 | VP0106 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 8 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 3.5V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Microchip | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 250 mA | ||
最大漏源电压 60 V | ||
封装类型 TO-92 | ||
系列 VP0106 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 8 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 3.5V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
Microchip 增强型常闭晶体管采用垂直 DMOS 结构和 Supertex 久经考验的硅栅极制造工艺。该组合可使设备具有双极性晶体管的功率处理能力，以及 MOS 设备固有的高输入阻抗和正温度系数。所有 MOS 结构的特性确保该设备能够免受热耗散和热感应次级击穿的影响。垂直 DMOS FET 特别适用于需要极低阈值电压，高击穿电压，高输入阻抗，低输入电容和快速切换速度的各种切换和放大应用。
无次级击穿
低功率驱动要求
易于并联
低 CISS 和快速切换速度
极好的热稳定性
一体式源极-漏极二极管
高输入阻抗和高增益
低功率驱动要求
易于并联
低 CISS 和快速切换速度
极好的热稳定性
一体式源极-漏极二极管
高输入阻抗和高增益