Vishay P型沟道 MOSFET, Vds=30 V, -19.3 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, SI4153DY-T1-GE3, Si4153DY系列

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包装方式:
RS 库存编号:
239-5363P
制造商零件编号:
SI4153DY-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

-19.3A

最大漏源电压 Vd

30V

系列

Si4153DY

包装类型

SO-8

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

95mΩ

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

±25 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

31nC

最大功耗 Pd

5.6W

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

这款 Vishay P 沟道 MOSFET 的漏极电流为 -19.3 A,用于适配器开关、电源管理、负载开关

100% Rg 测试