Vishay P型沟道 MOSFET, Vds=30 V, 9 A, PowerPAK SC-70, 表面安装, SIA4371EDJ-T1-GE3, SIA系列

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制造商零件编号:
SIA4371EDJ-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

P型

最大连续漏极电流 Id

9A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

PowerPAK SC-70

系列

SIA

安装类型

表面

最大漏源电阻 Rd

0.045Ω

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

10.6nC

最大功耗 Pd

15.6W

最大栅源电压 Vgs

±12 V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

这款 Vishay TrenchFET P 沟道功率 MOSFET 的漏极电流为 -9 A。用于便携式消费设备的电源管理、 负载开关、充电器开关、电池开关

100 % Rg 测试

热增强型 PowerPAK® SC-70 封装

典型 ESD 保护 3000 V