制造商编号

Vishay N沟道MOSFET, Vds=6 V, Id=6 A, PowerPAK SC-75, SIB系列

RS 库存编号:: 239-5373
制造商零件编号:: SIB4316EDK-T1-GE3
制造商:: Vishay

Vishay N沟道MOSFET, Vds=6 V, Id=6 A, PowerPAK SC-75, SIB系列

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100 - 225	RMB2.935	RMB73.38
250 - 975	RMB2.846	RMB71.15
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RS 库存编号:: 239-5373
制造商零件编号:: SIB4316EDK-T1-GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	6A
	最大漏源电压 Vd	6V
	系列	SIB
	包装类型	PowerPAK SC-75
	安装类型	表面
	最大漏源电阻 Rd	0.057Ω
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	3.5nC
	最大栅源电压 Vgs	12V
	最大功耗 Pd	1W
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 6A
	最大漏源电压 Vd 6V
	系列 SIB
	包装类型 PowerPAK SC-75
	安装类型表面
	最大漏源电阻 Rd 0.057Ω
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 3.5nC
	最大栅源电压 Vgs 12V
	最大功耗 Pd 1W
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - SIB4316EDK-T1-GE3

这款 Vishay P 沟道 MOSFET 的漏极电流为 6 A，用于负载开关、直流/直流转换器、电源管理

热增强型 PowerPAK® SC-70 封装

占用面积小

低导通电阻

典型 ESD 保护：1500 V（人体模型）

100% Rg 测试

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