Vishay N型沟道 MOSFET, Vds=6 V, 6 A, PowerPAK SC-75, 表面安装, SIB4316EDK-T1-GE3, SIB系列
- RS 库存编号:
- 239-5373P
- 制造商零件编号:
- SIB4316EDK-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 75 | RMB2.104 |
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| 250 - 975 | RMB1.98 |
| 1000 + | RMB1.92 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 239-5373P
- 制造商零件编号:
- SIB4316EDK-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 6A | |
| 最大漏源电压 Vd | 6V | |
| 系列 | SIB | |
| 包装类型 | PowerPAK SC-75 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.057Ω | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 3.5nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 1W | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±12 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 6A | ||
最大漏源电压 Vd 6V | ||
系列 SIB | ||
包装类型 PowerPAK SC-75 | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.057Ω | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 3.5nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 1W | ||
最大栅源电压 Vgs ±12 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
这款 Vishay P 沟道 MOSFET 的漏极电流为 6 A,用于负载开关、直流/直流转换器、电源管理
热增强型 PowerPAK® SC-70 封装
占用面积小
低导通电阻
典型 ESD 保护:1500 V(人体模型)
100% Rg 测试
