Vishay N型沟道 MOSFET, Vds=850 V, 20 A, TO-247AC, 通孔安装, SIHG24N80AEF-GE3, SIH系列

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239-5376
制造商零件编号:
SIHG24N80AEF-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

20A

最大漏源电压 Vd

850V

系列

SIH

包装类型

TO-247AC

安装类型

通孔

最大漏源电阻 Rd

0.17Ω

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

60nC

最大功耗 Pd

208W

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

Vishay EF 系列功率 MOSFET 的漏极电流为 20 A,用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)

低品质因数(FOM)Ron x Qg

低有效电容(Co(er))

降低开关和导通损耗

额定雪崩能量(UIS)