Vishay N型沟道 MOSFET, Vds=850 V, 20 A, TO-247AC, 通孔安装, SIHG24N80AEF-GE3, SIH系列
- RS 库存编号:
- 239-5377
- 制造商零件编号:
- SIHG24N80AEF-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB33.675 | RMB67.35 |
| 10 - 24 | RMB32.655 | RMB65.31 |
| 26 - 98 | RMB31.675 | RMB63.35 |
| 100 - 498 | RMB30.725 | RMB61.45 |
| 500 + | RMB29.81 | RMB59.62 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 239-5377
- 制造商零件编号:
- SIHG24N80AEF-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 20A | |
| 最大漏源电压 Vd | 850V | |
| 包装类型 | TO-247AC | |
| 系列 | SIH | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.17Ω | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±30 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 60nC | |
| 最大功耗 Pd | 208W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 20A | ||
最大漏源电压 Vd 850V | ||
包装类型 TO-247AC | ||
系列 SIH | ||
安装类型 通孔 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.17Ω | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs ±30 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 60nC | ||
最大功耗 Pd 208W | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay EF 系列功率 MOSFET 的漏极电流为 20 A，用于服务器和电信电源、开关模式电源（SMPS）、功率因数校正电源（PFC）
低品质因数（FOM）Ron x Qg
低有效电容（Co(er)）
降低开关和导通损耗
额定雪崩能量（UIS）