制造商编号

Vishay N型沟道 MOSFET, Vds=850 V, 20 A, TO-247AC, 通孔安装, SIHG24N80AEF-GE3, SIH系列

RS 库存编号:: 239-5377P
制造商零件编号:: SIHG24N80AEF-GE3
制造商:: Vishay

Vishay N型沟道 MOSFET, Vds=850 V, 20 A, TO-247AC, 通孔安装, SIHG24N80AEF-GE3, SIH系列

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26 - 98	RMB35.475
100 - 498	RMB34.41
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RS 库存编号:: 239-5377P
制造商零件编号:: SIHG24N80AEF-GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	N型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	20A
	最大漏源电压 Vd	850V
	包装类型	TO-247AC
	系列	SIH
	安装类型	通孔
	最大漏源电阻 Rd	0.17Ω
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	60nC
	最大功耗 Pd	208W
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 N型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 20A
	最大漏源电压 Vd 850V
	包装类型 TO-247AC
	系列 SIH
	安装类型通孔
	最大漏源电阻 Rd 0.17Ω
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 60nC
	最大功耗 Pd 208W
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - SIHG24N80AEF-GE3

Vishay EF 系列功率 MOSFET 的漏极电流为 20 A，用于服务器和电信电源、开关模式电源（SMPS）、功率因数校正电源（PFC）

低品质因数（FOM）Ron x Qg

低有效电容（Co(er)）

降低开关和导通损耗

额定雪崩能量（UIS）

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