Vishay N型沟道 MOSFET, Vds=600 V, 29 A, PowerPAK 10 x 12, 表面安装, 8引脚, SIHK075N60E-T1-GE3, SIHK075N60E系列

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制造商零件编号:
SIHK075N60E-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

29A

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

PowerPAK 10 x 12

系列

SIHK075N60E

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.08Ω

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

10 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

41nC

最大功耗 Pd

167W

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

Vishay E 系列功率 MOSFET 的漏极电流为 29 A,用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)

第 4 代 E 系列技术

低品质因数(FOM)Ron x Qg

低有效电容(Co(er))

降低开关和导通损耗

额定雪崩能量(UIS)