Vishay N型沟道 MOSFET, Vds=600 V, 29 A, PowerPAK 10 x 12, 表面安装, 8引脚, SIHK075N60E-T1-GE3, SIHK075N60E系列
- RS 库存编号:
- 239-5381P
- 制造商零件编号:
- SIHK075N60E-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
小计 50 件 (按连续条带形式提供)*
¥2,525.00
(不含税)
¥2,853.00
(含税)
有库存
- 另外 2,050 件在 2025年12月22日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 99 | RMB50.50 |
| 100 - 249 | RMB48.98 |
| 250 - 999 | RMB47.52 |
| 1000 + | RMB46.11 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 239-5381P
- 制造商零件编号:
- SIHK075N60E-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 29A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 包装类型 | PowerPAK 10 x 12 | |
| 系列 | SIHK075N60E | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.08Ω | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 10 V | |
| 最大功耗 Pd | 167W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 41nC | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 29A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
包装类型 PowerPAK 10 x 12 | ||
系列 SIHK075N60E | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.08Ω | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 10 V | ||
最大功耗 Pd 167W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 41nC | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay E 系列功率 MOSFET 的漏极电流为 29 A，用于服务器和电信电源、开关模式电源（SMPS）、功率因数校正电源（PFC）
第 4 代 E 系列技术
低品质因数（FOM）Ron x Qg
低有效电容（Co(er)）
降低开关和导通损耗
额定雪崩能量（UIS）