Vishay N型沟道 功率 MOSFET, Vds=800 V, 20 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, SIHP24N80AEF-GE3, EF系列
- RS 库存编号:
- 239-5383P
- 制造商零件编号:
- SIHP24N80AEF-GE3
- 制造商:
- Vishay
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- 239-5383P
- 制造商零件编号:
- SIHP24N80AEF-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 20A | |
| 最大漏源电压 Vd | 800V | |
| 包装类型 | JEDEC TO-220AB | |
| 系列 | EF | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.195Ω | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 90nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 208W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 20A | ||
最大漏源电压 Vd 800V | ||
包装类型 JEDEC TO-220AB | ||
系列 EF | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.195Ω | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs 30V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 90nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 208W | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay EF 系列功率 MOSFET,800 V 漏源电压,20 A 漏电流 - SIHP24N80AEF-GE3
这款功率 MOSFET 是一款高电压 N 通道开关设备,专为工业电子系统中的功率转换和控制而设计。它采用通孔 TO-220AB 封装,便于直接安装和连接散热片,适用于需要稳健电压处理和高工作温度的应用。
特性和优点：
• 800V 排放额定值可实现高电压开关应用 • 20 A 连续漏电流支持高负载电流 • 0.195Ω Rds(on)可减少负载下的传导损耗 • 208W 功耗可实现更高的热负载 • 90nC 典型栅极电荷,便于优化开关性能 • 150°C 最高接点温度可承受高温环境
应用
• 适用于高电压电源和转换器 • 适用于工业电机驱动开关级 • 用于自动化设备的开关模式电源 • 可用于电气控制面板的功率调节
在驱动设计过程中,必须遵守哪些栅极电压限制?
该设备需要在栅极和源之间最大 ±30 V 的栅极驱动电压,以避免栅极过压。
如何进行热管理以实现持续运行?
使用连接到TO-220AB插片的散热器,确保足够的气流,在指定的安装和冷却条件下可处理高达208W的耗散。
可在恶劣环境中部署的温度范围是多少?
该组件的工作温度范围为 -55°C 至最高 150°C,可用于高温组件。
是否考虑转速与驱动能量的切换?
典型栅极电荷为 90nC,需要足够的驱动电流来实现所需的开关时间,同时管理栅极驱动能量和电磁干扰。