Vishay N沟道功率MOSFET, Vds=800 V, Id=20 A, 3针, JEDEC TO-220AB, EF系列
- RS 库存编号:
- 239-5383P
- 制造商零件编号:
- SIHP24N80AEF-GE3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
查看批量定价选项小计 10 件 (按管提供)*
RMB189.55
(不含税)
RMB214.19
(含税)
有库存
- 30 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 18 | RMB18.955 |
| 20 + | RMB18.385 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 239-5383P
- 制造商零件编号:
- SIHP24N80AEF-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | 功率MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 20A | |
| 最大漏源电压 Vd | 800V | |
| 系列 | EF | |
| 包装类型 | JEDEC TO-220AB | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.195Ω | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大功耗 Pd | 208W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 90nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 功率MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 20A | ||
最大漏源电压 Vd 800V | ||
系列 EF | ||
包装类型 JEDEC TO-220AB | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.195Ω | ||
最大栅源电压 Vgs 30V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大功耗 Pd 208W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 90nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay EF系列功率MOSFET，800V漏源电压，20A连续漏极电流 - SIHP24N80AEF-GE3
该功率MOSFET是一款专为通孔功率电子设计的高压N沟道开关器件。它专为需要在高电压和高电流条件下进行稳健开关操作的环境而设计，能够在极宽的温度范围内工作，为工业及转换器应用提供受控导通特性与快速开关性能。
特性和优点：
• 800V 漏源额定值可实现高压开关
• 20A的连续漏极电流支持重载处理
• 0.195Ω 的低导通电阻可降低导通损耗
• 208W 功耗，支持高功率运行
• 90nC典型栅极电荷带来可预测的开关动态特性
• 30V栅源最大电压值，保护栅极完整性
• 20A的连续漏极电流支持重载处理
• 0.195Ω 的低导通电阻可降低导通损耗
• 208W 功耗，支持高功率运行
• 90nC典型栅极电荷带来可预测的开关动态特性
• 30V栅源最大电压值，保护栅极完整性
应用
• 适用于高压直流-直流转换器级别
• 适合电源初级开关功能
• 用于电机驱动装置前端电路
• 可用于工业逆变器开关
• 适用于实验室高压试验台
• 适合电源初级开关功能
• 用于电机驱动装置前端电路
• 可用于工业逆变器开关
• 适用于实验室高压试验台
它采用什么封装和安装方式？
它以TO-220AB封装形式提供，旨在用于通孔安装，以便实现直接散热和底座安装。
在严苛环境中,它能承受的热量范围是多少?
该器件的额定工作温度范围为-55°C至150°C，可适应宽泛的环境温度以及较高的结温。
正向电压对开关性能有何影响?
1.2V 典型正向电压表明在体二极管导通器件具有导通阈值特性，并会影响反向恢复及续流过程中的损耗计算。
该器件是否适用于汽车级设计？
它未设计为符合汽车标准，也不应认定为符合汽车特定要求。