Vishay N型沟道 MOSFET, Vds=80 V, 116 A, PowerPAK SO-8, 表面安装, 8引脚, SiR582DP-T1-RE3, SiR系列
- RS 库存编号:
- 239-5387P
- 制造商零件编号:
- SiR582DP-T1-RE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 95 | RMB10.934 |
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| 250 - 995 | RMB10.288 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 239-5387P
- 制造商零件编号:
- SiR582DP-T1-RE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 116A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 系列 | SiR | |
| 包装类型 | PowerPAK SO-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0034Ω | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 33.5nC | |
| 最大功耗 Pd | 92.5W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 6.15mm | |
| 宽度 | 5.15 mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 116A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
系列 SiR | ||
包装类型 PowerPAK SO-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0034Ω | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 33.5nC | ||
最大功耗 Pd 92.5W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 6.15mm | ||
宽度 5.15 mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
这款 Vishay TrenchFET N 沟道功率 MOSFET 的漏极电流为 116 A，用于同步整流、初级侧开关、直流/直流转换器和电机驱动开关。
极低的 RDS x Qg 品质因数（FOM）
经过调谐，适合最低的 RDS x Qoss FOM
100 % Rg 和 UIS 测试