Vishay N型沟道 MOSFET, Vds=80 V, 59.5 A, PowerPAK SO-8, 表面安装, 8引脚, SiR588DP-T1-RE3, SiR588DP系列

RS 库存编号:: 239-5394
制造商零件编号:: SiR588DP-T1-RE3
制造商:: Vishay

Vishay N型沟道 MOSFET, Vds=80 V, 59.5 A, PowerPAK SO-8, 表面安装, 8引脚, SiR588DP-T1-RE3, SiR588DP系列

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制造商零件编号:: SiR588DP-T1-RE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N型
	最大连续漏极电流 Id	59.5A
	最大漏源电压 Vd	80V
	系列	SiR588DP
	包装类型	PowerPAK SO-8
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	0.008Ω
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	59.5W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	14.2nC
	正向电压 Vf	1.1V
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	RoHS
	宽度	5.15mm
	长度	6.15mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N型
	最大连续漏极电流 Id 59.5A
	最大漏源电压 Vd 80V
	系列 SiR588DP
	包装类型 PowerPAK SO-8
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 0.008Ω
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 59.5W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 14.2nC
	正向电压 Vf 1.1V
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 RoHS
	宽度 5.15mm
	长度 6.15mm
	汽车标准否

Datasheet - SiR588DP-T1-RE3

Vishay SiR588DP系列MOSFET,80 V最大漏源电压,59.5 A最大连续漏电流 - SiR588DP-T1-RE3

此 n 通道 MOSFET 是表面贴装功率晶体管,设计用于在紧凑型电子组件中切换和处理高电流。它可在宽温度范围内工作,适用于在小型封装中需要稳健电压处理和高效传导的应用。

特性和优点：

• 80 V 漏电压可实现高电压开关应用 • 59.5 A 连续漏电流支持重负载操作 • 0.008Ω 低 Rds(on) 可减少传导损耗和加热 • 14.2nC 典型栅极电荷,可实现更快的切换转换 • 59.5W 功耗可实现持久的功率处理 • 最高工作温度为150°C,可耐受高温环境

应用

• 适用于工业自动化系统中的电机驱动级 • 适用于高电流直流-直流转换器和电源 • 用于配电模块的开关元件 • 可用于暖通空调和控制设备的负载切换 • 适用于板空间受限的紧凑型SMD电源组件

为了安全运行,必须遵守哪些栅极电压限制?

栅极到源极电压必须保持在 ±20V 范围内,以防止栅极氧化应力。

封装对板上的热管理有何影响?

PowerPAK SO-8 8 引脚表面贴装封装将热路径集中在基材中,因此良好的 PCB 铜面积和热通道可提高散热效果。

哪些环境条件定义了设备的运行限制?

该设备适用于低至 -55°C 和高达 150°C 的接点温度,适用于高温环境。

该设备的正向电压如何与传导行为相关?

1.1 V 正向电压指示当本质体二极管在反向恢复或硬换向事件中导电时,预期二极管导电降低。