Vishay N型沟道 MOSFET, Vds=171 V, 171 A, PowerPAK SO-8, 表面安装, 8引脚, SiRS700DP-T1-GE3, SiR系列

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制造商零件编号:
SiRS700DP-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

171A

最大漏源电压 Vd

171V

包装类型

PowerPAK SO-8

系列

SiR

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.0035Ω

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

86nC

最大功耗 Pd

132W

最大栅源电压 Vgs

±20 V

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

宽度

5 mm

长度

6mm

汽车标准

这款 Vishay TrenchFET N 沟道功率 MOSFET 的漏极电流为 171 A,用于同步整流、初级侧开关、直流/直流转换器和电机驱动开关。

极低的 RDS x Qg 品质因数(FOM)

经过调谐,适合最低的 RDS x Qoss FOM

100 % Rg 和 UIS 测试