Vishay N型沟道 MOSFET, Vds=30 V, 104 A, PowerPAK 1212-8PT, 表面安装, 8引脚, SISA10BDN-T1-GE3, SISA10BDN系列
- RS 库存编号:
- 239-5397
- 制造商零件编号:
- SISA10BDN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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- 制造商零件编号:
- SISA10BDN-T1-GE3
- 制造商:
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产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 104A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 系列 | SISA10BDN | |
| 包装类型 | PowerPAK 1212-8PT | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0036Ω | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最大功耗 Pd | 63W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 11.7nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 3.3mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 高度 | 0.75mm | |
| 长度 | 3.3mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 104A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
系列 SISA10BDN | ||
包装类型 PowerPAK 1212-8PT | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0036Ω | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最大功耗 Pd 63W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 11.7nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 3.3mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
高度 0.75mm | ||
长度 3.3mm | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay SISA10BDN 系列 MOSFET,30 V 最大漏源电压,104 A 最大连续漏电流 - SISA10BDN-T1-GE3
这款 MOSFET 是表面贴装 N 通道功率晶体管,专为紧凑型电子组件中的高电流开关而设计。它可在宽温度范围内工作,适用于需要大量连续排放电流和低电压高效传导的应用。该设备集成了低导通电阻和适度的栅极电荷,可在密封系统中平衡开关性能和热处理。
特性和优点：
• 104 A 连续漏电流可实现高电流开关能力
• 30 V 排放源额定值支持低电压电源导轨
• 0.0036Ω Rds(on)可减少传导损耗和发热
• 11.7nC 栅极电荷可实现高效的栅极驱动和切换控制
• 63W 功耗可承受巨大的热负载
• 20V 最大栅极-源电压可保护栅极免受过驱动
• 30 V 排放源额定值支持低电压电源导轨
• 0.0036Ω Rds(on)可减少传导损耗和发热
• 11.7nC 栅极电荷可实现高效的栅极驱动和切换控制
• 63W 功耗可承受巨大的热负载
• 20V 最大栅极-源电压可保护栅极免受过驱动
应用
• 适用于自动化设备的电机驱动器级别
• 特别适用于高电流直流-直流转换器输出
• 用于电源中的同步整流
• 可用于工业控制器的负载切换
• 与需要SMD安装的紧凑型电源模块配合使用
• 特别适用于高电流直流-直流转换器输出
• 用于电源中的同步整流
• 可用于工业控制器的负载切换
• 与需要SMD安装的紧凑型电源模块配合使用
该设备在运行过程中可承受哪些极端温度?
它的额定工作温度范围为-55°C至150°C,可在严苛的热环境中使用。
设计人员应为哪种封装类型提供足迹空间?
该组件采用PowerPAK 1212-8PT表面贴装封装,需要8针SMD封装。
该组件在高功率条件下的热性能如何?
最大功耗为 63 W,表明该设备在安装适当的 PCB 热管理时可处理大量功率。
它是否适用于必须使用的汽车认证场景?
该设备未指定符合汽车标准认证,因此不应认为它可替换符合汽车标准的部件。
为避免损坏,需要考虑哪些栅极驱动因素?
栅极驱动振幅不得超过 20 V,以保持在最大栅极-源额定电压范围内。