Vishay N型沟道 MOSFET, Vds=30 V, 104 A, PowerPAK 1212-8PT, 表面安装, 8引脚, SISA10BDN-T1-GE3, SIS系列
- RS Stock No.:
- 239-5397
- Mfr. Part No.:
- SISA10BDN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
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Units | Per unit | Per Reel* |
|---|---|---|
| 3000 - 12000 | RMB3.128 | RMB9,384.00 |
| 15000 + | RMB3.065 | RMB9,195.00 |
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- SISA10BDN-T1-GE3
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- Vishay
Specifications
Technical Reference
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Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 104A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 系列 | SIS | |
| 包装类型 | PowerPAK 1212-8PT | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0036Ω | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 63W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 11.7nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 3.3 mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 3.3mm | |
| 高度 | 0.75mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| Select all | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 104A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
系列 SIS | ||
包装类型 PowerPAK 1212-8PT | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0036Ω | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 63W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 11.7nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 3.3 mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 3.3mm | ||
高度 0.75mm | ||
汽车标准 否 | ||
这款 Vishay N 沟道 MOSFET 的漏极电流为 104 A,用于大功率密度直流/直流转换、同步整流、VRM 和嵌入式直流/直流转换、电池保护
100 % Rg 和 UIS 测试
