Vishay N型沟道 MOSFET, Vds=30 V, 104 A, PowerPAK 1212-8PT, 表面安装, 8引脚, SISA10BDN-T1-GE3, SIS系列

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包装方式:
RS 库存编号:
239-5398P
制造商零件编号:
SISA10BDN-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

104A

最大漏源电压 Vd

30V

系列

SIS

包装类型

PowerPAK 1212-8PT

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.0036Ω

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

11.7nC

最大功耗 Pd

63W

最大栅源电压 Vgs

20 V

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

长度

3.3mm

高度

0.75mm

宽度

3.3 mm

汽车标准

这款 Vishay N 沟道 MOSFET 的漏极电流为 104 A,用于大功率密度直流/直流转换、同步整流、VRM 和嵌入式直流/直流转换、电池保护

100 % Rg 和 UIS 测试