STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 60 A, Hip-247, 通孔安装, 3引脚, SCT系列
- RS 库存编号:
- 239-5529
- 制造商零件编号:
- SCTW60N120G2
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | RMB235.142 | RMB7,054.26 |
| 60 - 60 | RMB230.439 | RMB6,913.17 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 239-5529
- 制造商零件编号:
- SCTW60N120G2
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 60A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 包装类型 | Hip-247 | |
| 系列 | SCT | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 73mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 94nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 389W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 18 V | |
| 正向电压 Vf | 3V | |
| 最高工作温度 | 200°C | |
| 标准/认证 | UL | |
| 高度 | 5mm | |
| 宽度 | 15.6 mm | |
| 长度 | 34.8mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 60A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
包装类型 Hip-247 | ||
系列 SCT | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 73mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 94nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 389W | ||
最大栅源电压 Vgs 18 V | ||
正向电压 Vf 3V | ||
最高工作温度 200°C | ||
标准/认证 UL | ||
高度 5mm | ||
宽度 15.6 mm | ||
长度 34.8mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics 碳化硅功率 MOSFET 设备是使用 ST 的 Advanced 和创新的第 2 代 SiC MOSFET 技术开发而成。该设备的单位面积具有极低的接通电阻和非常好的切换性能。切换损耗的变化几乎与接点温度无关。它可用于开关模式电源，直流 - 直流转换器和工业电动机控制。
非常快速且坚固的本征主体二极管
极低的栅极电荷和输入电容
非常高的工作接点温度能力