STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 100 A, 通孔安装, 4引脚, STK系列
- RS 库存编号:
- 239-5538P
- 制造商零件编号:
- STK130N4LF7AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计 20 件 (按连续条带形式提供)*
¥207.72
(不含税)
¥234.72
(含税)
正在逐步停售
- 最终 100 个，准备发货
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 20 - 90 | RMB10.386 |
| 100 - 240 | RMB10.075 |
| 250 - 490 | RMB9.773 |
| 500 + | RMB9.48 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 239-5538P
- 制造商零件编号:
- STK130N4LF7AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 100A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | STK | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 105W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 40 V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 26nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | UL | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 100A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 STK | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 4mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 105W | ||
最大栅源电压 Vgs 40 V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 26nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 UL | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics 汽车级 N 通道功率 MOSFET 使用 STripFET F7 技术,具有增强的槽门结构,可产生非常低的接通状态电阻,同时还可减少内部电容和门充电,以实现更快、更高效的切换。
符合 AEC-Q101
在市场上最低的 RDS (接通) 中
出色的 FOM (业绩数字)
低 CRS/Ciss 比，提供 EMI 抗扰性
高耐雪崩性