STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 55 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, STP80N240K6, STP系列
- RS 库存编号:
- 239-5544P
- 制造商零件编号:
- STP80N240K6
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计 10 件 (按管提供)*
¥376.26
(不含税)
¥425.17
(含税)
有库存
- 另外 20 件在 2025年12月22日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 10 | RMB37.626 |
| 15 - 15 | RMB36.874 |
| 20 - 20 | RMB36.134 |
| 25 + | RMB35.414 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 239-5544P
- 制造商零件编号:
- STP80N240K6
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 55A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | STP | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 45mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.5V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 140W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | UL | |
| 高度 | 4.6mm | |
| 宽度 | 10.4 mm | |
| 长度 | 28.9mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 55A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 STP | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 45mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.5V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 140W | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 UL | ||
高度 4.6mm | ||
宽度 10.4 mm | ||
长度 28.9mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics 极高电压 N 通道功率 MOSFET 设计使用终极 MDmesh K6 技术，基于 20 年 STMicroelectronics 超接点技术经验。因此，每个区域的杰出 接通电阻和栅极电荷适用于需要卓越功率密度和高效率的应用。此 MOSFET 推荐用于基于回扫拓扑的应用，如 LED 照明，充电器和适配器。提供更大的功率密度，减少 BOM 成本和板尺寸。
全球最佳 RDS (接通) x 区域
全球最佳 FOM (业绩数字)
超低栅极电荷
通过 100% 雪崩测试
提供齐纳保护