Microchip N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 10.3 A, TO-92, 通孔安装, 3引脚, TN5325K1-G, TN5325系列
- RS 库存编号:
- 239-5618
- 制造商零件编号:
- TN5325K1-G
- 制造商:
- Microchip
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RMB98.275
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | RMB3.931 | RMB98.28 |
| 50 - 75 | RMB3.854 | RMB96.35 |
| 100 - 225 | RMB3.61 | RMB90.25 |
| 250 - 975 | RMB3.537 | RMB88.43 |
| 1000 + | RMB3.467 | RMB86.68 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 239-5618
- 制造商零件编号:
- TN5325K1-G
- 制造商:
- Microchip
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Microchip | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 10.3A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | TN5325 | |
| 包装类型 | TO-92 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 8Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 140W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.8V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Microchip | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 10.3A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 TN5325 | ||
包装类型 TO-92 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 8Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 140W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.8V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Microchip TN5325 系列低阈值增强型 (常闭) 晶体管采用垂直 DMOS 结构和久经考验的硅栅极制造工艺。该组合可使设备具有双极性晶体管的功率处理能力，以及 MOS 设备固有的高输入阻抗和正温度系数。所有 MOS 结构的特性确保该设备能够免受热耗散和热感应次级击穿的影响。
最大 2V 的低阈值
高输入阻抗和高增益
上升时间为 15 ns
关闭延时时间为 25 ns
下降时间为 25 ns