Microchip N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 10.3 A, TO-92, 通孔安装, 3引脚, TN5325系列

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RS 库存编号:
239-5618P
制造商零件编号:
TN5325K1-G
制造商:
Microchip
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品牌

Microchip

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

10.3A

最大漏源电压 Vd

650V

包装类型

TO-92

系列

TN5325

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

8Ω

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.8V

最大功耗 Pd

140W

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

汽车标准

否

Microchip TN5325 系列低阈值增强型 (常闭) 晶体管采用垂直 DMOS 结构和久经考验的硅栅极制造工艺。该组合可使设备具有双极性晶体管的功率处理能力，以及 MOS 设备固有的高输入阻抗和正温度系数。所有 MOS 结构的特性确保该设备能够免受热耗散和热感应次级击穿的影响。

最大 2V 的低阈值

高输入阻抗和高增益

上升时间为 15 ns

关闭延时时间为 25 ns

下降时间为 25 ns

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