Microchip P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 10.3 A, TO-92, 通孔安装, 3引脚, VP2206N3-G, VP2206系列
- RS 库存编号:
- 239-5621
- 制造商零件编号:
- VP2206N3-G
- 制造商:
- Microchip
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB17.508 | RMB87.54 |
| 50 - 95 | RMB16.984 | RMB84.92 |
| 100 - 245 | RMB16.472 | RMB82.36 |
| 250 - 495 | RMB15.978 | RMB79.89 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 239-5621
- 制造商零件编号:
- VP2206N3-G
- 制造商:
- Microchip
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Microchip | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 10.3A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | VP2206 | |
| 包装类型 | TO-92 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 8Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.8V | |
| 最大功耗 Pd | 140W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Microchip | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 10.3A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 VP2206 | ||
包装类型 TO-92 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 8Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.8V | ||
最大功耗 Pd 140W | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Microchip VP2206 系列是增强型 (常闭) 晶体管，采用垂直 DMOS 结构和 Supertex 久经考验的硅栅极制造工艺。该组合可使设备具有双极性晶体管的功率处理能力，以及 MOS 设备固有的高输入阻抗和正温度系数。所有 MOS 结构的特性确保该设备能够免受热耗散和热感应次级击穿的影响。这些垂直 DMOS FET 特别适用于需要极低阈值电压，高击穿电压，高输入阻抗，低输入电容和快速切换速度的各种切换和放大应用。
它具有 " 无二级故障 "
它具有低功率驱动要求
它提供易于并联，低 CISS 和快速切换速度
它具有高输入阻抗和高增益，具有出色的 热稳定性
它具有一体式源极 - 漏极二极管