STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 55 A, TO-252, 通孔安装, 3引脚, STD系列
- RS 库存编号:
- 239-6330P
- 制造商零件编号:
- STD86N3LH5
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 95 | RMB10.828 |
| 100 - 245 | RMB10.616 |
| 250 - 495 | RMB10.402 |
| 500 + | RMB10.184 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 239-6330P
- 制造商零件编号:
- STD86N3LH5
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 55A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | STD | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 45mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 最大功耗 Pd | 70W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 14nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.5V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 2.4mm | |
| 长度 | 6.6mm | |
| 宽度 | 6.2 mm | |
| 标准/认证 | UL | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 55A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 STD | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 45mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
最大功耗 Pd 70W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 14nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.5V | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 2.4mm | ||
长度 6.6mm | ||
宽度 6.2 mm | ||
标准/认证 UL | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics MOSFET 设备是一款 N 沟道功率 MOSFET ，采用 STMicroelectronics 的 STripFET H5 技术开发。此设备经过优化，可实现极低的通态电阻。
低接通电阻 RDSon
高耐雪崩性
低栅极驱动功率损耗
30 V VDs
80 A ID