Vishay N型沟道 消耗型 MOSFET, Vds=100 V, 415 A, powerpak so - 8DC, 表面安装, 8引脚, SiDR220EP-T1-RE3
- RS 库存编号:
- 239-8615
- 制造商零件编号:
- SiDR220EP-T1-RE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | RMB20.08 | RMB40.16 |
| 50 - 98 | RMB19.72 | RMB39.44 |
| 100 - 248 | RMB19.365 | RMB38.73 |
| 250 - 998 | RMB19.015 | RMB38.03 |
| 1000 + | RMB18.67 | RMB37.34 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 239-8615
- 制造商零件编号:
- SiDR220EP-T1-RE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 415A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | powerpak so - 8DC | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.00082Ω | |
| 通道模式 | 消耗 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 46.1nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大功耗 Pd | 120W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 125°C | |
| 宽度 | 5.15 mm | |
| 长度 | 6.15mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 415A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 powerpak so - 8DC | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.00082Ω | ||
通道模式 消耗 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 46.1nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大功耗 Pd 120W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 125°C | ||
宽度 5.15 mm | ||
长度 6.15mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Vishay TrenchFET® 是 Gen IV 功率 N 通道 MOSFET，可在 25 V 和 175 °C 温度下工作。此 MOSFET 用于高功率密度、同步降压转换器和负载切换。
顶部冷却功能提供额外的热传输场所
低功率损耗
UIS 测试