Vishay N型沟道消耗型功率 MOSFET, Vds=850 V, 6.5 A, TO-220, 表面安装, 3引脚, EF系列

RS 库存编号:: 239-8622P
制造商零件编号:: SiHA17N80AEF-GE3
制造商:: Vishay

Vishay N型沟道消耗型功率 MOSFET, Vds=850 V, 6.5 A, TO-220, 表面安装, 3引脚, EF系列

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RS 库存编号:: 239-8622P
制造商零件编号:: SiHA17N80AEF-GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	N型
	产品类型	功率 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	6.5A
	最大漏源电压 Vd	850V
	系列	EF
	包装类型	TO-220
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	0.305Ω
	通道模式	消耗
	最大功耗 Pd	34W
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	1.2V
	最大栅源电压 Vgs	30V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	63nC
	最高工作温度	+150°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 N型
	产品类型功率 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 6.5A
	最大漏源电压 Vd 850V
	系列 EF
	包装类型 TO-220
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 0.305Ω
	通道模式消耗
	最大功耗 Pd 34W
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 1.2V
	最大栅源电压 Vgs 30V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 63nC
	最高工作温度 +150°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - SiHA17N80AEF-GE3

Vishay EF 系列功率 MOSFET,850 V漏源电压,6.5 A漏电流 - SiHA17N80AEF-GE3

这款功率 MOSFET 是一款高压开关晶体管,专为严苛的电气和汽车环境而设计。它作为通孔 TO-220 表面封装的 N 通道消耗设备运行,为需要稳健电压处理和热保险率的功率转换和控制提供紧凑型解决方案。

特性和优点：

• 850 V 最大漏源电压,适用于高电压应用 • 6.5A 连续漏电流,可实现持久负载处理 • 0.305 Ω Rds 可最大程度地减少负载下的传导损耗 • 34W 功耗支持高热预算 • 63 nC 典型栅极电荷,用于可预测的开关控制 • ±150°C/-55°C 工作范围提供宽温度耐受性

应用

• 适用于工业系统中的高压直流-直流转换器级别 • 适用于变频器前端和功率因数电路 • 用于自动化设备的开关模式电源 • 可用于符合AEC‐Q101标准的汽车电力电子设备 • 与需要明确电荷特性的栅极驱动器配合使用

设计过程中应遵守哪些栅极电压限制?

该设备可耐受高达 30 V 的栅极偏移

设计应确保栅极驱动电路保持在此限值范围内,以防止栅极氧化应力。

如何实施热管理以实现可靠运行?

由于耗散额定值为 34 W,请将合适的散热器连接到 TO‐220 插片,并确保足够的气流,以保持接线温度在安全范围内。

开关损耗和驱动器选择有哪些考虑因素?

具有 63 nC 的典型栅极电荷,选择能够供应和吸收所需峰值电流的驱动器,以实现所需的上升/下降时间,同时管理开关损耗。

该设备是否适用于汽车认证流程?

它符合汽车 MOSFET 的 AEC‐Q101 标准,适用于需要汽车级组件的设计。

Vishay N型沟道 消耗型 功率 MOSFET, Vds=850 V, 6.5 A, TO-220, 表面安装, 3引脚, EF系列

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