制造商编号

Vishay N沟道耗尽型MOSFET, Vds=650 V, Id=46 A, 3针, TO-263, EF系列

RS 库存编号:: 239-8627
制造商零件编号:: SIHB055N60EF-GE3
制造商:: Vishay

Vishay N沟道耗尽型MOSFET, Vds=650 V, Id=46 A, 3针, TO-263, EF系列

查看所有MOSFET

可享批量折扣

查看批量定价选项

小计（1 件）*

RMB49.76

(不含税)

RMB56.23

(含税)

最后的 RS 库存

最终 870 个，准备发货

单位	每单位
1 - 9	RMB49.76
10 - 24	RMB48.86
25 - 99	RMB47.99
100 - 499	RMB47.11
500 +	RMB46.26

* 参考价格

RS 库存编号:: 239-8627
制造商零件编号:: SIHB055N60EF-GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	46A
	最大漏源电压 Vd	650V
	系列	EF
	包装类型	TO-263
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	0.05Ω
	通道模式	耗尽
	最大功耗 Pd	278W
	最大栅源电压 Vgs	30V
	正向电压 Vf	1.2V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	63nC
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	125°C
	标准/认证	No
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 46A
	最大漏源电压 Vd 650V
	系列 EF
	包装类型 TO-263
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 0.05Ω
	通道模式耗尽
	最大功耗 Pd 278W
	最大栅源电压 Vgs 30V
	正向电压 Vf 1.2V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 63nC
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 125°C
	标准/认证 No
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - SIHB055N60EF-GE3

Vishay EF 系列是功率 MOSFET，带快速主体二极管。此 MOSFET 用于服务器和电信电源、焊接和电动机驱动。

第 4 代 E 系列技术

低有效电容

低切换和传导损耗

相关链接