Vishay N型沟道 消耗型 MOSFET, Vds=650 V, 46 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, SIHB055N60EF-GE3, EF系列

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239-8627
制造商零件编号:
SIHB055N60EF-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

46A

最大漏源电压 Vd

650V

系列

EF

包装类型

TO-263

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.05Ω

通道模式

消耗

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

30 V

最大功耗 Pd

278W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

63nC

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

125°C

标准/认证

No

汽车标准

AEC-Q101

Vishay EF 系列是功率 MOSFET,带快速主体二极管。此 MOSFET 用于服务器和电信电源、焊接和电动机驱动。

第 4 代 E 系列技术

低有效电容

低切换和传导损耗

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。