Vishay N沟道耗尽型功率MOSFET, Vds=650 V, Id=26 A, 4针, PowerPAK 8 x 8, EF系列

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包装方式：
RS 库存编号:
239-8632
制造商零件编号:
SiHH105N60EF-T1GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

功率MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

26A

最大漏源电压 Vd

650V

系列

EF

包装类型

PowerPAK 8 x 8

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

0.091Ω

通道模式

耗尽

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

33nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

174W

正向电压 Vf

1.2V

最大栅源电压 Vgs

30V

最高工作温度

+150°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

Vishay EF系列功率MOSFET，最大漏源电压650V，最大连续漏极电流26A - SiHH105N60EF-T1GE3


此功率MOSFET是一款高压开关晶体管，专为工业和汽车环境中的表面贴装应用而设计。它可在宽温度范围内工作，适用于需要稳健高压开关、具备中等连续电流承载能力和栅极驱动特性的电路。

特性和优点：


• 650V 的漏源额定值可实现高压开关
• 26A 连续漏极电流支持大负载电流
• 0.091Ω 的低导通电阻可降低导通损耗
• 174W 功耗，支持持续的热负载
• 典型栅极电荷为33nC，支持可预测的驱动需求
• 30V栅极额定电压支持常见的栅极驱动方案

应用


• 适用于工业电源的高压DCDC转换器
• 适用于符合AEC‑Q101要求的汽车电源模块
• 用于SMPS和变频器的初级侧开关
• 可用于电气化系统的电机驱动半‑桥级应用
• 适用于需要表面贴装的加固型电子组件

它采用哪种安装方式以实现紧凑组装？


它以PowerPAK 8x8封装形式提供，专为表面贴装而设计，以便于实现高密度的PCB布局以及与覆铜层的热耦合。

它在极端温度条件下的表现如何？


其额定工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，因此在采取适当冷却措施的情况下，能够适应严苛的环境条件及高温结温工况。

需要遵守哪些栅极驱动限制？


该器件的栅源电压不得超过30V，其典型栅极电荷为33nC，这一参数决定了峰值驱动电流及驱动器的选型。

它是否适合汽车认证要求?


该器件符合AEC‑Q101汽车标准，因此适用于需要该认证的车规‑级电子设计。

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