Vishay N型沟道 消耗型 功率 MOSFET, Vds=650 V, 48 A, PowerPAK 10 x 12, 表面安装, 8引脚, SIHK045N60E-T1-GE3, E系列
- RS 库存编号:
- 239-8634
- 制造商零件编号:
- SIHK045N60E-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 |
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- 239-8634
- 制造商零件编号:
- SIHK045N60E-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 48A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | PowerPAK 10 x 12 | |
| 系列 | E | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.043Ω | |
| 通道模式 | 消耗 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 98nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 278W | |
| 最高工作温度 | +150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 48A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 PowerPAK 10 x 12 | ||
系列 E | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.043Ω | ||
通道模式 消耗 | ||
最大栅源电压 Vgs 30V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 98nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 278W | ||
最高工作温度 +150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Vishay E 系列功率 MOSFET,650 V 漏源电压,48 A 连续漏电流 - SIHK045N60E-T1-GE3
这款功率 MOSFET 是一款高电压 N 通道半导体设备,专为要求严苛的电气系统中的开关和电源管理而设计。它可在宽温度范围内工作,适用于需要汽车级可靠性和高连续电流处理的表面安装组件。
特性和优点：
• 650 V 漏电压,支持高电压开关应用 • 48 A 连续漏电流,支持大电流负载 • 0.043Ω Rds(on),可减少负载下的传导损耗 • 98nC 典型栅极电荷,可实现可预测的驱动要求 • 278W 最大功耗,可实现大量热处理 • AEC-Q101 认证,满足汽车应力筛查需求
应用
• 适用于车辆中的牵引变频器和电机控制级 • 适用于工业自动化领域的高压电源转换器 • 用于高功率电气系统中的直流-直流转换 • 可用于严苛环境中的开关模式电源
我应该允许哪些栅极驱动因素?
设计栅极驱动器可在选定的 Vgs 下提供典型的 98nC 电荷,以确保切换速度符合系统计时,同时限制切换损耗。
如何在 PCB 组件上进行热管理?
使用PowerPAK 10x12表面封装散热并提供足够的铜面积和通道,可在规定冷却条件下散发高达278W的电力。
安全设计适用于哪些电压范围?
选择系统工作电压远低于 650 V 最大排放源额定值,并在 ±30 V 栅极-源限制范围内限制栅极移动。
操作环境温度是否受限?
该设备的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,因此系统冷却和降额必须考虑到高温工作点。