Vishay N型沟道 消耗型 功率 MOSFET, Vds=650 V, 48 A, PowerPAK 10 x 12, 表面安装, 8引脚, SIHK045N60E-T1-GE3, E系列

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239-8634P
制造商零件编号:
SIHK045N60E-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

功率 MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

48A

最大漏源电压 Vd

650V

包装类型

PowerPAK 10 x 12

系列

E

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.043Ω

通道模式

消耗

最大栅源电压 Vgs

30V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

98nC

正向电压 Vf

1.2V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

278W

最高工作温度

+150°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

Vishay E 系列功率 MOSFET,650 V 漏源电压,48 A 连续漏电流 - SIHK045N60E-T1-GE3


这款功率 MOSFET 是一款高电压 N 通道半导体设备,专为要求严苛的电气系统中的开关和电源管理而设计。它可在宽温度范围内工作,适用于需要汽车级可靠性和高连续电流处理的表面安装组件。

特性和优点：


• 650 V 漏电压,支持高电压开关应用 • 48 A 连续漏电流,支持大电流负载 • 0.043Ω Rds(on),可减少负载下的传导损耗 • 98nC 典型栅极电荷,可实现可预测的驱动要求 • 278W 最大功耗,可实现大量热处理 • AEC-Q101 认证,满足汽车应力筛查需求

应用


• 适用于车辆中的牵引变频器和电机控制级 • 适用于工业自动化领域的高压电源转换器 • 用于高功率电气系统中的直流-直流转换 • 可用于严苛环境中的开关模式电源

我应该允许哪些栅极驱动因素?


设计栅极驱动器可在选定的 Vgs 下提供典型的 98nC 电荷,以确保切换速度符合系统计时,同时限制切换损耗。

如何在 PCB 组件上进行热管理?


使用PowerPAK 10x12表面封装散热并提供足够的铜面积和通道,可在规定冷却条件下散发高达278W的电力。

安全设计适用于哪些电压范围?


选择系统工作电压远低于 650 V 最大排放源额定值,并在 ±30 V 栅极-源限制范围内限制栅极移动。

操作环境温度是否受限?


该设备的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,因此系统冷却和降额必须考虑到高温工作点。

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