Vishay N型沟道 消耗型 功率 MOSFET, Vds=650 V, 42 A, PowerPAK 10 x 12, 表面安装, 8引脚, SIHK055N60E-T1-GE3, E系列

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239-8636P
制造商零件编号:
SIHK055N60E-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

功率 MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

42A

最大漏源电压 Vd

650V

包装类型

PowerPAK 10 x 12

系列

E

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.056Ω

通道模式

消耗

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

54nC

最大栅源电压 Vgs

30V

最大功耗 Pd

236W

正向电压 Vf

1.2V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

+150°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

Vishay E 系列功率 MOSFET,650 V 最大漏源电压,42 A 最大连续漏电流 - SIHK055N60E-T1-GE3


这款功率 MOSFET 是一款高电压 N 通道晶体管,专为要求严苛的工业和汽车环境中的开关和电源管理而设计。它可在宽温度范围内工作,适用于需要稳健高电压处理和紧凑封装的表面安装组件。

特性和优点:


• 650V 排放额定值可实现高电压开关应用 • 42 A 连续排放电流支持重载操作 • 0.056Ω 低 Rds(on) 可减少传导损耗 • 54nC 典型栅极电荷平衡开关速度和驱动力 • 236W 功耗可实现持久的功率处理 • 额定温度高达+150°C,适用于高温环境

应用


• 适用于工业自动化领域的电源转换阶段 • 适用于电机驱动逆变器开关电路 • 用于电气系统中的高压直流-直流转换器 • 可用于需要AEC-Q101认证的汽车电源管理模块

电路板组装需要哪种安装方式?


它采用PowerPAK 10x12表面封装,配有八个引脚,专为表面贴装焊接工艺和PCB导热而设计。

栅极驱动要求对控制器选择有何影响?


该设备支持高达 30 V 的栅极源电压,典型栅极电荷为 54 nC,因此驱动器必须为所需的开关转换提供足够的电荷,同时保持在 VGS 限制范围内。

它在运行过程中可承受哪些极端环境?


该组件专为在 -55°C 至 +150°C 范围内运行,可在恶劣环境中在宽环境和接点温度范围内使用。

是否有与汽车用途相关的行业认证?


它符合汽车级半导体的 AEC-Q101 标准,并符合 RoHS 材料限制标准。