Vishay N型沟道 消耗型 MOSFET, Vds=650 V, 21 A, PowerPAK 10 x 12, 表面安装, 8引脚, E系列
- RS Stock No.:
- 239-8637
- Mfr. Part No.:
- SIHK125N60E-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
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- SIHK125N60E-T1-GE3
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- Vishay
Specifications
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Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 21A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | PowerPAK 10 x 12 | |
| 系列 | E | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.11Ω | |
| 通道模式 | 消耗 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 最大功耗 Pd | 132W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 54nC | |
| 最高工作温度 | 125°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| Select all | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 21A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 PowerPAK 10 x 12 | ||
系列 E | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.11Ω | ||
通道模式 消耗 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
最大功耗 Pd 132W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 54nC | ||
最高工作温度 125°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Vishay E 系列是功率 MOSFET，带快速主体二极管。此 MOSFET 用于服务器和电信电源、焊接和电动机驱动。
第 4 代 E 系列技术
低有效电容
低切换和传导损耗