Vishay N型沟道 消耗型 功率 MOSFET, Vds=650 V, 21 A, PowerPAK 10 x 12, 表面安装, 8引脚, E系列
- RS 库存编号:
- 239-8638P
- 制造商零件编号:
- SIHK125N60E-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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|---|---|
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- 239-8638P
- 制造商零件编号:
- SIHK125N60E-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 21A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | E | |
| 包装类型 | PowerPAK 10 x 12 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.109Ω | |
| 通道模式 | 消耗 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 54nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大功耗 Pd | 132W | |
| 最高工作温度 | +150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 21A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 E | ||
包装类型 PowerPAK 10 x 12 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.109Ω | ||
通道模式 消耗 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 54nC | ||
最大栅源电压 Vgs 30V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大功耗 Pd 132W | ||
最高工作温度 +150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Vishay E 系列功率 MOSFET,650 V 漏源电压,21 A 连续漏电流 - SIHK125N60E-T1-GE3
这款功率 MOSFET 是一款高电压 N 通道晶体管,专为严苛的电子和汽车应用而设计。它可用作耗尽模式开关,用于控制高压电路,适用于需要稳健热性能和电气性能的系统中的表面安装组装。该设备可在宽温度范围内工作,符合汽车质量标准,适用于车辆电子产品。
特性和优点：
• 650 V 漏电压,可实现高电压系统切换 • 21 A 连续漏电流,可持续处理负载 • 0.109Ω Rds(on),可减少传导损耗 • 132W 功耗,支持高热负载 • 54nC 典型栅极电荷,可实现可预测的开关能量 • ±30V 栅极容差,确保稳健的栅极驱动空间
应用
• 适用于汽车电源转换和变频器级别 • 特别适用于高压电机驱动前端 • 用于工业自动化高压开关 • 可用于电气系统中的电源
我可以预期的工作温度范围是多少,确保可靠性?
该设备支持 -55°C 至 +150°C 的连续运行,可在具有广泛热变化的环境中使用。
封装如何影响PCB的热性能?
表面贴装 PowerPAK 10x12 封装为电路板提供低热阻路径,有助于在焊接到合适的 PCB 铜区域时传递热量。
我应该允许切换的栅极驱动因素是什么?
典型栅极电荷为 54 nC,最大栅极源额定值为 ±30 V,栅极驱动器必须提供足够的电荷并遵守电压限制,以安全控制开关速度。
这款组件是否有适用的行业标准?
该设备符合 AEC-Q101 要求,并符合 RoHS 标准,与汽车级组件选择标准保持一致。