Vishay N型沟道 消耗型 MOSFET, Vds=60 V, 37 A, PowerPAK (8x8L), 表面安装, 4引脚

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RS 库存编号:
239-8639
制造商零件编号:
SIJH600E-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

37A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

PowerPAK (8x8L)

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

0.01Ω

通道模式

消耗

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

141nC

最大功耗 Pd

333W

最高工作温度

125°C

长度

8mm

宽度

7.9 mm

标准/认证

No

汽车标准

AEC-Q101

Vishay TrenchFET® 是 Gen IV 功率 N 通道 MOSFET,可在 60 V 和 175 °C 温度下工作。此 MOSFET 用于电池管理、电动机驱动控制和同步整流。

完全无铅设备

低切换和功率损耗

UIS 测试

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