Vishay N型沟道 消耗型 MOSFET, Vds=30 V, 410 A, PowerPAK SO-8L, 表面安装, 4引脚, SQJ160EP-T1_GE3

可享批量折扣

小计(1 包,共 5 件)*

¥76.67

(不含税)

¥86.635

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
正在逐步停售
  • 最终 2,730 个,准备发货
单位
每单位
每包*
5 - 45RMB15.334RMB76.67
50 - 95RMB15.06RMB75.30
100 - 245RMB14.786RMB73.93
250 - 995RMB14.522RMB72.61
1000 +RMB14.256RMB71.28

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
239-8666
制造商零件编号:
SQJ160EP-T1_GE3
制造商:
Vishay
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

410A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

PowerPAK SO-8L

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

0.002Ω

通道模式

消耗

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

255W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

43nC

正向电压 Vf

1.1V

最高工作温度

125°C

宽度

4.9 mm

长度

6.15mm

标准/认证

AEC-Q101

汽车标准

AEC-Q101

Vishay SQJ 是汽车 N 通道 MOSFET,可在 60 V 和 175 °C 温度下工作。此 MOSFET 用于高功率密度。

AEC-Q101 认证

UIS 测试