Vishay N型沟道 消耗型 MOSFET, Vds=30 V, 410 A, PowerPAK SO-8L, 表面安装, 4引脚, SQJ186EP-T1_GE3
- RS 库存编号:
- 239-8671
- 制造商零件编号:
- SQJ186EP-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
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|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB5.67 | RMB56.70 |
| 50 - 90 | RMB5.569 | RMB55.69 |
| 100 - 240 | RMB5.468 | RMB54.68 |
| 250 - 990 | RMB5.371 | RMB53.71 |
| 1000 + | RMB5.274 | RMB52.74 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 239-8671
- 制造商零件编号:
- SQJ186EP-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 410A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | PowerPAK SO-8L | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.02Ω | |
| 通道模式 | 消耗 | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最大功耗 Pd | 255W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 43nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 125°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 6.15mm | |
| 宽度 | 4.9 mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 410A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 PowerPAK SO-8L | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.02Ω | ||
通道模式 消耗 | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最大功耗 Pd 255W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 43nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 125°C | ||
标准/认证 No | ||
长度 6.15mm | ||
宽度 4.9 mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Vishay SIDR 是汽车 N 通道 MOSFET，可在 80 V 和 175 °C 温度下工作。此 MOSFET 用于高功率密度。
AEC-Q101 认证
UIS 测试