Vishay N沟道耗尽型MOSFET, Vds=30 V, Id=410 A, 4针, PowerPAK SO-8L

查看所有MOSFET
可享批量折扣
查看批量定价选项

小计（1 包，共 5 件）*

RMB93.26

(不含税)

RMB105.385

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
供应短缺
由于供应受限，等到补货后会分配到相应的订单 您可以下单预订此产品，我们将尽早通知您预计的交付日期。

单位
每单位
每包*
5 - 45RMB18.652RMB93.26
50 - 95RMB18.318RMB91.59
100 - 245RMB17.994RMB89.97
250 - 995RMB17.662RMB88.31
1000 +RMB17.342RMB86.71

* 参考价格

包装方式：
RS 库存编号:
239-8673
制造商零件编号:
SQJA26EP-T1_GE3
制造商:
Vishay
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

410A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

PowerPAK SO-8L

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

0.00128Ω

通道模式

耗尽

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

255W

正向电压 Vf

1.1V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

43nC

最大栅源电压 Vgs

20V

最高工作温度

125°C

长度

6.15mm

宽度

4.9mm

标准/认证

No

汽车标准

AEC-Q101

Vishay SQJA 是汽车 N 通道 MOSFET，可在 30 V 和 175 °C 温度下工作。此 MOSFET 用于高功率密度。

AEC-Q101 认证

UIS 测试

相关链接