Vishay N型沟道 消耗型 MOSFET, Vds=30 V, 445 A, PowerPAK (8x8L), 表面安装, 4引脚, SQJQ112E-T1_GE3
- RS 库存编号:
- 239-8676
- 制造商零件编号:
- SQJQ112E-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
查看批量定价选项小计（1 包，共 2 件）*
RMB70.58
(不含税)
RMB79.76
(含税)
供应短缺
- 另外 1,476 件在 2026年7月13日 发货
我们目前的库存有限，并且我们的供应商预计会出现缺货。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | RMB35.29 | RMB70.58 |
| 50 - 98 | RMB34.65 | RMB69.30 |
| 100 - 248 | RMB34.015 | RMB68.03 |
| 250 - 998 | RMB33.41 | RMB66.82 |
| 1000 + | RMB32.815 | RMB65.63 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 239-8676
- 制造商零件编号:
- SQJQ112E-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 445A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | PowerPAK (8x8L) | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.00253Ω | |
| 通道模式 | 消耗 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 43nC | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最大功耗 Pd | 255W | |
| 最高工作温度 | 125°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 6.15mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 445A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 PowerPAK (8x8L) | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.00253Ω | ||
通道模式 消耗 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 43nC | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最大功耗 Pd 255W | ||
最高工作温度 125°C | ||
标准/认证 No | ||
长度 6.15mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Vishay TrenchFET® 是汽车第 IV 代功率 N 通道 MOSFET，可在 100 V 和 175 °C 温度下工作。此 MOSFET 用于高功率密度。
AEC-Q101 认证
UIS 测试
薄型封装