Vishay N型沟道 消耗型 MOSFET, Vds=40 V, 214 A, PowerPAK 1212-8S, 表面安装, 8引脚, SQS140ENW-T1_GE3

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239-8683
制造商零件编号:
SQS140ENW-T1_GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

214A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

PowerPAK 1212-8S

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.000253Ω

通道模式

消耗

正向电压 Vf

1.1V

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

38nC

最大功耗 Pd

197W

最高工作温度

125°C

长度

3.3mm

标准/认证

No

汽车标准

AEC-Q101

Vishay TrenchFET® 是 Gen IV 功率 N 通道 MOSFET,可在 40 V 和 175 °C 温度下工作。此 MOSFET 用于高功率密度。

低电阻

AEC-Q101 认证

UIS 测试