STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 55 A, TO-247, 通孔安装, 4引脚, STW系列
- RS 库存编号:
- 240-0612P
- 制造商零件编号:
- STW75N65DM6-4
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 240-0612P
- 制造商零件编号:
- STW75N65DM6-4
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 55A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 系列 | STW | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 45mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 118nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 480W | |
| 正向电压 Vf | 1.5V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | UL | |
| 宽度 | 15.8 mm | |
| 高度 | 5.1mm | |
| 长度 | 40.92mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 55A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 TO-247 | ||
系列 STW | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 45mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 118nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 480W | ||
正向电压 Vf 1.5V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 UL | ||
宽度 15.8 mm | ||
高度 5.1mm | ||
长度 40.92mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics 高压 N 沟道功率 MOSFET 是 Mdmesh DM6 快速恢复二极管系列的一部分，与上一代 MDmesh 相比，DM6 具有非常低的恢复电荷（Qrr）、恢复时间（trr），在每个区域的 RDS（导通）取得卓越提升，兼具最严苛的高效桥接拓扑结构和 ZVS 相移转换器市场所需的最有效切换行为。
快速恢复二极管
与上一代相比，每个区域的 RDS（导通）较低
低栅极电荷、低输入电容和电阻
100% 通过雪崩测试
dv/dt 坚固
齐纳保护