Nexperia N型沟道 MOSFET, Vds=30 V, 10.3 A, LFPAK56E, 表面安装, 4引脚
- RS 库存编号:
- 240-1975P
- 制造商零件编号:
- PSMN2R0-55YLHX
- 制造商:
- Nexperia
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 98 | RMB18.07 |
| 100 - 248 | RMB17.745 |
| 250 - 498 | RMB17.425 |
| 500 + | RMB17.11 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 240-1975P
- 制造商零件编号:
- PSMN2R0-55YLHX
- 制造商:
- Nexperia
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 10.3A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | LFPAK56E | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 13.6mΩ | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 12.5W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 10.3A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 LFPAK56E | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 13.6mΩ | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 12.5W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Nexperia N 通道增强模式 MOSFET 采用 LFPAK56E 封装。ASFET 特别适用于需要强大雪崩能力，线性模式性能，在高切换频率下使用以及安全 A 的 36 V 电池供电应用
额定温度达到 175 °C
雪崩等级， 100% 测试
低 QG ， QGD 和 QOSS 可实现高效率，尤其是在较高的切换频率下
超快切换，带软主体二极管恢复，用于低尖峰和振铃，推荐用于低 EMI 设计
独特的“ SchottkyPlus ”技术，具有类似肖特基的切换性能和低 IDSS 泄漏
窄 VGS (th) 等级，易于并联和改进的电流共享
非常坚固的线性模式 / 安全工作区域特性，可在高电流条件下安全可靠地切换