Nexperia N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=42 A, 8针, MLPAK33.
- RS 库存编号:
- 240-1981
- 制造商零件编号:
- PXN012-60QLJ
- 制造商:
- Nexperia
暂时无法供应
我们不知道此物品是否会再来货，RS 不再对该产品备货。
- RS 库存编号:
- 240-1981
- 制造商零件编号:
- PXN012-60QLJ
- 制造商:
- Nexperia
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 42A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | MLPAK33. | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 13.6mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最大功耗 Pd | 12.5W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 42A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 MLPAK33. | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 13.6mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最大功耗 Pd 12.5W | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Nexperia 通用 MOSFET 具有 42 A 额定电流。逻辑电平 N 通道增强模式功率 MOSFET 采用 MLPAK33 封装。
逻辑电平兼容性
Trench MOSFET 技术
高效热封装，外形小巧 (3.3 mm x 3.3 mm 封装尺寸)
相关链接
- Nexperia N沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 42 A, MLPAK33., 表面安装, 8引脚
- Nexperia N沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 24 A, MLPAK, 表面安装, 8引脚, PXN028-100QLJ, PXN系列
- Nexperia N沟道 N型 MOSFET, Vds=100 V, 50 A, MLPAK, 表面安装, 8引脚, PXN012-100QSJ, PXN系列
- Nexperia N沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 10.3 A, MLPAK33., 表面安装, 8引脚, PXN010-30QLJ
- Nexperia N沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 7.9 A, MLPAK33., 表面安装, 8引脚, PXN017-30QLJ
- Nexperia N沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 7.5 A, MLPAK33., 表面安装, 8引脚, PXN018-30QLJ
- Nexperia N沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 15 A, MLPAK33., 表面安装, 8引脚, PXN4R7-30QLJ
- Nexperia N沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 14 A, MLPAK33., 表面安装, 8引脚, PXN5R4-30QLJ