Nexperia N沟道MOS管, Vds=30 V, 7.9 A, MLPAK33., 贴片安装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 240-1982
- 制造商零件编号:
- PXN017-30QLJ
- 制造商:
- Nexperia
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | RMB1.355 | RMB4,065.00 |
| 6000 - 6000 | RMB1.328 | RMB3,984.00 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 240-1982
- 制造商零件编号:
- PXN017-30QLJ
- 制造商:
- Nexperia
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 7.9 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 封装类型 | MLPAK33. | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 7.9 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
封装类型 MLPAK33. | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
Nexperia N 通道增强模式场效应晶体管 (FET) 采用 MLPAK33 (SOT8002) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，采用 Trench MOSFET 技术。
逻辑电平兼容
Trench MOSFET 技术
超低 QG 和 QGD 可实现高系统效率，尤其是在更高切换频率下
超快切换，带软恢复
低尖峰和振荡，用于低 EMI 设计
MLPAK33 封装 (3.3 x 3.3 mm 封装尺寸)
Trench MOSFET 技术
超低 QG 和 QGD 可实现高系统效率，尤其是在更高切换频率下
超快切换，带软恢复
低尖峰和振荡，用于低 EMI 设计
MLPAK33 封装 (3.3 x 3.3 mm 封装尺寸)