Nexperia N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 11.4 A, MLPAK33., 表面安装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 240-1998
- 制造商零件编号:
- PXN8R3-30QLJ
- 制造商:
- Nexperia
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 240-1998
- 制造商零件编号:
- PXN8R3-30QLJ
- 制造商:
- Nexperia
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 11.4A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | MLPAK33. | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 13.6mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 12.5W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 11.4A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 MLPAK33. | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 13.6mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 12.5W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Nexperia N 通道增强模式场效应晶体管 (FET) 采用 MLPAK33 (SOT8002) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，采用 Trench MOSFET 技术。
逻辑电平兼容
Trench MOSFET 技术
超低 QG 和 QGD 可实现高系统效率，尤其是在更高切换频率下
超快切换，带软恢复
低尖峰和振荡，用于低 EMI 设计
MLPAK33 封装 (3.3 x 3.3 mm 封装尺寸)