Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=25 V, 330 A, SuperSO8 5 x 6, 表面安装, 8引脚, ISC系列

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包装方式:
RS 库存编号:
240-6375P
制造商零件编号:
ISC010N06NM5
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

330A

最大漏源电压 Vd

25V

包装类型

SuperSO8 5 x 6

系列

ISC

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

2.4mΩ

最大栅源电压 Vgs

30 V

正向电压 Vf

1.1V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最大功耗 Pd

171W

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

Infineon OptiMOS ™ 5 单 N 沟道功率 MOSFET mΩ V , 1.05 M Ω , 330 A ,采用 SSO8 封装。Infineon 的 OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 60V 采用 SuperSO8 封装 ISC010N06NM5 ,在 25˚C 和 175˚C 时提供低通态电阻 RDS ,以及高达 330 A 的高连续电流Infineon 的 OptiMOS ™ MOSFET 采用 SuperSO8 封装,扩展了 OptiMOS ™ 3 和 5 产品系列,不仅提高了坚固性,还能实现更高的功率密度,从而满足降低系统成本和提高性能的需求。低反向恢复电荷 Qrr 可显著降低过冲电压,从而最大程度减少对减震器电路的需求,从而降低工程成本和工作量,从而提高系统可靠性。

经优化可用于同步整流

通过 100% 雪崩测试

出色的耐热性能

N 通道

175°额定电流

无铅引线电镀; 符合 RoHS

无卤素,符合 IEC61249-2-21 标准

由于源互连扩大,焊接点可靠性更高