Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=25 V, 55 A, PQFN, 表面安装, 6引脚, ISK036N03LM5, ISK系列
- RS 库存编号:
- 240-6379
- 制造商零件编号:
- ISK036N03LM5
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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| 100 - 245 | RMB5.418 | RMB27.09 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 240-6379
- 制造商零件编号:
- ISK036N03LM5
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 55A | |
| 最大漏源电压 Vd | 25V | |
| 包装类型 | PQFN | |
| 系列 | ISK | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2.4mΩ | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 171W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 正向电压 Vf | 0.81V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 55A | ||
最大漏源电压 Vd 25V | ||
包装类型 PQFN | ||
系列 ISK | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 2.4mΩ | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 171W | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
正向电压 Vf 0.81V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS ™ 5 mΩ MOSFET 30 V ， 3.6 M Ω ，采用 PQFN 2x2 封装的最小外形尺寸。凭借全新的 BIC OptiMOS ™ 5 in 25V 和 30V 产品系列， Infineon 以小巧的外形提供了一流的效率解决方案，使其成为无线充电，负载开关和低功率直流 / 直流应用等应用的理想解决方案。小型 4 mm2 封装尺寸 PQFN 2x2 mΩ ，结合卓越的 电气性能，有助于改善终端应用中的外形尺寸，具有 3.6 μ m 的低 RDS 接通。
经过优化，可实现最高性能和功率密度
通过 100% 雪崩测试
卓越的热阻，用于 2x2 封装
N 通道
无铅引线电镀
符合 RoHS
无卤素，符合 IEC61249-2-21 标准