Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=29 A, 5针, ThinPAK 8x8, IPL系列
- RS 库存编号:
- 240-6615P
- 制造商零件编号:
- IPL65R095CFD7AUMA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 240-6615P
- 制造商零件编号:
- IPL65R095CFD7AUMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 29A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | IPL | |
| 包装类型 | ThinPAK 8x8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 95mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最大功耗 Pd | 171W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 8.1mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 29A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 IPL | ||
包装类型 ThinPAK 8x8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻 Rd 95mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -40°C | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最大栅源电压 Vgs 30V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
最大功耗 Pd 171W | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 8.1mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
英飞凌 650 V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET 采用 ThinPAK 8x8 封装，特别适合工业应用中的谐振拓扑，如服务器、电信、太阳能和电动汽车充电站，相比竞品效率显著提高。作为 CFD2 SJ MOSFET 系列的继承者，它的栅电荷更少、关闭行为得到改善、反向恢复电荷更少以及额外 50 V 击穿电压，可实现最高效率和功率密度。
相比竞品，显著降低切换损耗
额外安全余量，增加母线电压
工业 SMPS 应用中，全负载效率更高
高功率密度